2、高电流密度SiC电力电子器件关键技术及应用
发布时间：2020-09-11
信息来源：北京市科学技术委员会网站
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发布时间：2020-09-11
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由中国科学院微电子研究所等单位完成
该成果属于半导体技术领域。项目突破了第三代半导体碳化硅SiC器件结构、关键工艺及材料生长等重大技术瓶颈问题，实现了高电流密度SiC电力电子器件工艺集成及量产。主要技术发明有：发明了一种高电流密度、高抗浪涌的结区拓扑结构新技术，将电流能力提高20%；发明了一种结终端电场调控的新技术，实现了器件表面与体电场均衡调制，实现600V-10kV器件终端保护效率达到理论值的92%；发明了高密度原子态活性氧粒子替代氧分子的SiC氧化技术，解决了界面处碳残留和氧空位问题；突破了原位处理高质量SiC外延材料生长、电流增强制造、低损伤SiC选区掺杂等关键技术，形成了具有自主产权的SiCSBD/MOSFET器件集成工艺。
成果获授权发明专利73项，建成了2条4-6英寸SiC产品生产线；成果已推广应用到北京及国内SiC生产企业，推动了我国SiC半导体产业发展和相关高精尖企业技术变革。
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